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MRAM:闪存技术使用保留在一个浮动多晶硅(浮动闸)上的电荷，该浮动闸笼盖在闸氧化物上。闪存位单元的编程需要一个高电压场，将电子的速度进步到足够快，以便电子能克服硅物质和浮动闸之间的氧化物的能量障碍。这就使电子能够穿过氧化物，为浮动闸充电，而浮动闸又会改变位单元晶体管的电压阈值。电子反复通过氧化物会导致氧化物逐渐消耗。因而，闪存在经由1万~100万个写入周期后就不能再使用。跟着连续的写入功课，有些闪存最快可在10天内损耗。而MRAM却能忍受无穷数目的写入周期，由于它没有充电或放电过程。在编程过程中，磁极是旋转的，不会产生破坏，也不会降低执行机能。
在编程过程中，闪存要求很高的电压，以吸引电子穿过氧化物。MRAM则使用电流来产生磁场，对自由层进行编程。一般来说，闪存在大的内存数组长进行编程或擦除功课。MRAM则能在单个地址上执行写入功课。
SRAM:SRAM需要电源来留存其内存内容，由于它使用了CMOS逻辑电平的晶体管。MRAM内存内容保留在自由磁层的极性内，因为该层是磁性的，因此能在无需电源的情况下留存其状态。
跟着技术的发展，SRAM单元日益变小，势必会产生更多泄漏。对各个单元来说，这个泄漏很小，但是当内存组件中的单元增加到数百万个时，泄漏就相称大了。跟着技术日益使SRAM单元变小，这种效应还将继承成长。因为MRAM的非挥发性，可以在系统中采用断电技术，使漏电流接近为零。
电池供电SRAM:电池供电SRAM由SRAM单元和电池组成。该内存长短挥发性的，由于电池可以提供电源，以留存内存内容。相反，MRAM则不需要电池来留存数据，MRAM的读写速度高于电池供电的SRAM。因为MRAM不需要电池，因而它也不存在电池组件降低可靠性的固有题目，因而进步了可靠性，消除了与电池处理有关的环境题目。
EEPROM:与MRAM相较，EEPROM编程速度要慢得多，写入次数也有限。
NVSRAM:NVSRAM(非挥发性SRAM)将SRAM和EEPROM结合在一起。当电源丢失机，NVSRAM将资料从SRAM保留到EEPROM上。然而，将数据传输到EEPROM的速度非常慢，因此NVSRAM上需要一个大型外部电容器以保持电源，同时进行数据传输。MRAM具有写入功课速度更快的上风，可在系统正常执行期间写入数据。因此，当电源丢失机仅需传输起码的数据。采用MRAM的应用可在无需使用大型外部电容器的情况下，安全地将数据写入内存，进而从中受益。
FRAM:Ferroelectric RAM(铁电内存)是一种非挥发性RAM，一般来说，它的数组规模比较小，只有4KB到1MB，原因在于FRAM技术的可扩展性非常有限，进一步压缩了位单元大小。而MRAM就没有受到与FRAM相同的可扩展性限制，因此可以实现更大的内存数组。
MRAM的编程速度比FRAM快。有些FRAM的读写次数限制在100亿次周期。此外，因为读取功课会破坏正在读取的位单元内容，因此有些FRAM也要求在执行读取功课后刷新内存。
DRAM:动态RAM要求频繁刷新内存以留存数据，而MRAM则不要求刷新内存。 |
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发表于 2-22 20:44
